同步整流电源采用高性能、低导通电阻 MOS 管作为整流器件的全同步整流技术，极大地提高整流器效率。由于世界最先进的功率半导体器件飞速进步，高性能半导体器件不断涌现;特别是近年来发展起来的高性能、低导通电阻、大电流 MOS 管，作为整流器件，具有导通电压低(0.1-0.2V)，反向恢复损耗很低的特点，大幅度降低了整流损耗，极大提升了开关电源的整体效率。(低电压大电流工作状态)

真正的全软开关技术使 IGBT 开关损耗降至最低。同步整流电源采用目前最先进的自适应谐振全桥 PWM 控制 IC，具备自适应零电压延迟控制功能， 辅以高效谐振电感，从而使 IGBT 几乎能在整个工作条件下都实现 ZVS，使 IGBT 的损耗降低 40%、同时改善了 EMC 特性，降低了对电网及电源本身的干扰。

同步整流电源选用超高频、低饱和压降 IGBT 作为主开关器件，降低 IGBT 的导通损耗。由于选用了超高频低饱和压降的大功率高电压 IGBT，使第三代开关电源的工作频率比第二代开关电源的工作频率更高，减小了磁性材料的尺寸;同时低饱和压降特性也降低了 IGBT 损耗。